Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ардышев, В. М. - Особенности электроактивации 28Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном от...
Ардышев, В. М. - Особенности электроактивации 28Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном от...
Статья
Автор: Ардышев, В. М.
Физика и техника полупроводников: Особенности электроактивации 28Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном от...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ардышев, В. М.
Физика и техника полупроводников: Особенности электроактивации 28Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном от...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ардышев, В. М.
Особенности электроактивации 28Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном отжиге / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. М. Ардышев, М. В. Ардышев, С. С. Хлудков // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 1 . – 28-32 .
Ардышев, В. М.
Особенности электроактивации 28Si в монокристаллическом и эпитаксиальном GaAs при радиационном отжиге / Электронные и оптические свойства полупроводников / В. М. Ардышев, М. В. Ардышев, С. С. Хлудков // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 1 . – 28-32 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 1
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 1
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный