Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Буянов, А. В. - Использование метода отраженных электронов в электронно-зондовом профилировании гетероструктур на...
Буянов, А. В. - Использование метода отраженных электронов в электронно-зондовом профилировании гетероструктур на...
Статья
Автор: Буянов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Использование метода отраженных электронов в электронно-зондовом профилировании гетероструктур на...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Буянов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Использование метода отраженных электронов в электронно-зондовом профилировании гетероструктур на...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Буянов, А. В.
Использование метода отраженных электронов в электронно-зондовом профилировании гетероструктур на основе соединений GexSi(1-x) / А. В. Буянов, К. Л. Лютович, Г. П. Пека, В. Н. Ткаченко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1711-1717 .
Буянов, А. В.
Использование метода отраженных электронов в электронно-зондовом профилировании гетероструктур на основе соединений GexSi(1-x) / А. В. Буянов, К. Л. Лютович, Г. П. Пека, В. Н. Ткаченко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 10 . – с. 1711-1717 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 10
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 10
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный