Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Теоретический анализ модели полупроводника, содержащего два и более типов центров рекомбинации
Теоретический анализ модели полупроводника, содержащего два и более типов центров рекомбинации
Книга (аналит. описание)
Автор:
Неравновесные процессы в фотопроводниках: Теоретический анализ модели полупроводника, содержащего два и более типов центров рекомбинации
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Неравновесные процессы в фотопроводниках: Теоретический анализ модели полупроводника, содержащего два и более типов центров рекомбинации
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Теоретический анализ модели полупроводника, содержащего два и более типов центров рекомбинации // Неравновесные процессы в фотопроводниках / В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман . – Киев : Наук. думка, 1981 . – с. 6-24 .
Теоретический анализ модели полупроводника, содержащего два и более типов центров рекомбинации // Неравновесные процессы в фотопроводниках / В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман . – Киев : Наук. думка, 1981 . – с. 6-24 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Книга
Лашкарев, В. Е.
Неравновесные процессы в фотопроводниках
Наук. думка, 1981 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Лашкарев, В. Е.
Неравновесные процессы в фотопроводниках
Наук. думка, 1981 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный