Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Исследование дефектообразования в приповерхностных слоях GaAs, имплантированных ионами Be+ и Se+ ...
Бублик, В. Т. - Исследование дефектообразования в приповерхностных слоях GaAs, имплантированных ионами Be+ и Se+ ...
Статья
Автор: Бублик, В. Т.
Кристаллография: Исследование дефектообразования в приповерхностных слоях GaAs, имплантированных ионами Be+ и Se+ ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бублик, В. Т.
Кристаллография: Исследование дефектообразования в приповерхностных слоях GaAs, имплантированных ионами Be+ и Se+ ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бублик, В. Т.
Исследование дефектообразования в приповерхностных слоях GaAs, имплантированных ионами Be+ и Se+ / Поверхность / В. Т. Бублик, Г. И. Кольцов, А. В. Немировский, С. Ю. Юрчук // Кристаллография . – 2000 . – Т. 45, N 4 . – 753-758 .
Бублик, В. Т.
Исследование дефектообразования в приповерхностных слоях GaAs, имплантированных ионами Be+ и Se+ / Поверхность / В. Т. Бублик, Г. И. Кольцов, А. В. Немировский, С. Ю. Юрчук // Кристаллография . – 2000 . – Т. 45, N 4 . – 753-758 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1