Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сошников, И. П. - Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомна...
Сошников, И. П. - Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомна...
Статья
Автор: Сошников, И. П.
Физика и техника полупроводников: Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сошников, И. П.
Физика и техника полупроводников: Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сошников, И. П.
Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / И. П. Сошников, В. В. Лундин, А. С. Усиков, И. П. Калмыкова, Н. Н. Леденцов, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Gerthsen // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 6 . – 647-651 .
Сошников, И. П.
Особенности формирования внедрений InxGa1-xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / И. П. Сошников, В. В. Лундин, А. С. Усиков, И. П. Калмыкова, Н. Н. Леденцов, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Gerthsen // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 6 . – 647-651 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 6
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 6
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный