Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Косяченко, Л. А. - Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe / Полупровод...
Косяченко, Л. А. - Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe / Полупровод...
Статья
Автор: Косяченко, Л. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Косяченко, Л. А.
Физика и техника полупроводников: Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe / Полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Косяченко, Л. А.
Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Л. А. Косяченко, С. Э. Остапов, Вейгуа Сун // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 6 . – 695-697 .
Косяченко, Л. А.
Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Л. А. Косяченко, С. Э. Остапов, Вейгуа Сун // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 6 . – 695-697 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 6
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 6
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный