Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Галиев, Г. Б.
Исследование распределения и перераспределения кремния в тонких легированных слоях арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)A, (111)B / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, В. Г. Мокеров, В. К. Неволин, В. В. Сарайкин, Ю. В. Слепнев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 7 . – 769-773 .