Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Васильев, Р. Б. - Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях га...
Васильев, Р. Б. - Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях га...
Статья
Автор: Васильев, Р. Б.
Физика и техника полупроводников: Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях га...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Васильев, Р. Б.
Физика и техника полупроводников: Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях га...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Васильев, Р. Б.
Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях газовой адсорбции / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Р. Б. Васильев, А. М. Гаськов, М. Н. Румянцева, А. С. Рыжиков, Л. И. Рябова, Б. А. Акимов // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 8 . – 993-997 .
Васильев, Р. Б.
Свойства гетероструктур диодного типа на основе нанокристаллического n-SnO2 на p-Si в условиях газовой адсорбции / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Р. Б. Васильев, А. М. Гаськов, М. Н. Румянцева, А. С. Рыжиков, Л. И. Рябова, Б. А. Акимов // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 8 . – 993-997 .