Электронный каталог -Борошнев, А. В. - Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs- GaAs, полученных жидкофазной э...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Борошнев, А. В. - Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs- GaAs, полученных жидкофазной э...

Борошнев, А. В. - Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs- GaAs, полученных жидкофазной э...

Доступно
1 из 1

Автореферат
Автор: Борошнев, А. В.
Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs- GaAs, полученных жидкофазной э... : автореф. дис... к.т.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков"
Издательство: [МИСиС], 1981 г.
ISBN отсутствует

Заказать

На полку

Автореферат
Б-835асп

Борошнев, А. В.
Зависимость дефектообразования в слоях гетероструктур Ga1-x AlxAs- GaAs, полученных жидкофазной эпитаксией, от легирования и условий инжекционного возбуждения : автореф. дис... к.т.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков" / А. В. Борошнев . – М. : [МИСиС], 1981 . – 25 с. - (М-во высш. и сред.спец.образования СССР. МИСиС). - Для служебного пользования.

Общий = Физика : полупроводники
Общий = Материаловедение : дефекты материалов
Общий = Химия : неорганическая химия : периодическая система элементов : галлий
Общий = Химия : неорганическая химия : периодическая система элементов : алюминий

СП-13548 21:Фонд дис.ДСП МИСИС