Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Торхов, Н. А. - Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaA...
Торхов, Н. А. - Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaA...
Статья
Автор: Торхов, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaA...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Торхов, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaA...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Торхов, Н. А.
Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaAs при гидрогенизации / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 4 . – с. 437-442 .
Торхов, Н. А.
Причины изменения статических вольт-амперных характеристик структур с барьером Шоттки Me/n-n+-GaAs при гидрогенизации / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 4 . – с. 437-442 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 4
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 4
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный