Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кеслер, В. Г. - Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/GexSi1-x/Si, выращенных методом моле...
Кеслер, В. Г. - Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/GexSi1-x/Si, выращенных методом моле...
Статья
Автор: Кеслер, В. Г.
Физика твердого тела: Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/GexSi1-x/Si, выращенных методом моле...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кеслер, В. Г.
Физика твердого тела: Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/GexSi1-x/Si, выращенных методом моле...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кеслер, В. Г.
Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/GexSi1-x/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Полупроводники. Диэлектрики / В. Г. Кеслер, Л. М. Логвинский, В. И. Машанов, О. П. Пчеляков, В. В. Ульянов // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2002 . – Т. 44, N 4 . – с. 683-687 .
Кеслер, В. Г.
Исследование распределения компонентов в гетероструктурах Si/GexSi1-x/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Полупроводники. Диэлектрики / В. Г. Кеслер, Л. М. Логвинский, В. И. Машанов, О. П. Пчеляков, В. В. Ульянов // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2002 . – Т. 44, N 4 . – с. 683-687 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1