Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Андрианов, А. В.
Низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. В. Андрианов, В. Ю. Некрасов, Н. М. Шмидт, Е. Е. Заварин, А. С. Усиков, Н. Н. Зиновьев, М. Н. Ткачук // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 6 . – с. 679-684 .