Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Агафонов, Е. Н.
Определение концентрации глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при нестационарной спектроскопии глубоких уровней / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Е. Н. Агафонов, А. Н. Георгобиани, Л. С. Лепнев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 6 . – с. 693-696 .