Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Виолина, Г. Н. - Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием / Физик...
Виолина, Г. Н. - Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием / Физик...
Статья
Автор: Виолина, Г. Н.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Виолина, Г. Н.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Виолина, Г. Н.
Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием / Физика полупроводниковых приборов / Г. Н. Виолина, Е. В. Калинина, Г. Ф. Холуянов, Г. А. Онушкин, В. Г. Коссов, Р. Р. Яфаев, А. Халлен, А. О. Константинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 6 . – с. 746-749 .
Виолина, Г. Н.
Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием / Физика полупроводниковых приборов / Г. Н. Виолина, Е. В. Калинина, Г. Ф. Холуянов, Г. А. Онушкин, В. Г. Коссов, Р. Р. Яфаев, А. Халлен, А. О. Константинов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 6 . – с. 746-749 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 6
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 6
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный