Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шапошников, А. В. - Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2 / Полупроводники. Диэлектрики
Шапошников, А. В. - Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2 / Полупроводники. Диэлектрики
Статья
Автор: Шапошников, А. В.
Физика твердого тела: Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2 / Полупроводники. Диэлектрики
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шапошников, А. В.
Физика твердого тела: Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2 / Полупроводники. Диэлектрики
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Шапошников, А. В.
Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2 / Полупроводники. Диэлектрики / А. В. Шапошников, В. А. Гриценко, Г. М. Жидомиров, М. Роджер // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2002 . – Т. 44, N 6 . – с. 985-987 .
Шапошников, А. В.
Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SiO2 / Полупроводники. Диэлектрики / А. В. Шапошников, В. А. Гриценко, Г. М. Жидомиров, М. Роджер // Физика твердого тела . – Основан в январе 1959 г . – 2002 . – Т. 44, N 6 . – с. 985-987 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1