Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Преображенский, В. В. - Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста / А...
Преображенский, В. В. - Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста / А...
Статья
Автор: Преображенский, В. В.
Физика и техника полупроводников: Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста / А...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Преображенский, В. В.
Физика и техника полупроводников: Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста / А...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Преображенский, В. В.
Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 8 . – с. 897-901 .
Преображенский, В. В.
Контроль параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs при низких температурах роста / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 8 . – с. 897-901 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 8
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 8
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный