Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Серегин, Н. П. - Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроск...
Серегин, Н. П. - Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроск...
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Серегин, Н. П.
Физика и техника полупроводников: Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроск...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Серегин, Н. П.
Физика и техника полупроводников: Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроск...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Серегин, Н. П.
Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах 67Ga(67Zn) и 67Cu(67Zn) / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. П. Серегин, С. А. Немов, С. М. Иркаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1049-1051 .
Серегин, Н. П.
Примесные атомы цинка в GaP, GaAs и GaSb, изученные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах 67Ga(67Zn) и 67Cu(67Zn) / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. П. Серегин, С. А. Немов, С. М. Иркаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 9 . – с. 1049-1051 .