Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Никифоров, А. И. - Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометри...
Никифоров, А. И. - Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометри...
Статья
Автор: Никифоров, А. И.
Физика и техника полупроводников: Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометри...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Никифоров, А. И.
Физика и техника полупроводников: Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометри...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Никифоров, А. И.
Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометрии / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. И. Никифоров, В. А. Черепанов, О. П. Пчеляков // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 9 . – 1032-1035 .
Никифоров, А. И.
Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометрии / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / А. И. Никифоров, В. А. Черепанов, О. П. Пчеляков // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 9 . – 1032-1035 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 9
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 9
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный