Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Ершов, В. С.
Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием / В. С. Ершов, З. А. Зайцевская, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, С. В. Матыцын, А. Б. Пашковский, Ю. Ю. Федоров // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 5 . – с. 776-782 .