Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Александров, О. В. - Модель образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода
Александров, О. В. - Модель образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода
Статья
Автор: Александров, О. В.
Физика и техника полупроводников: Модель образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Александров, О. В.
Физика и техника полупроводников: Модель образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Александров, О. В.
Модель образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода / О. В. Александров, А. О. Захарьин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 11 . – с. 1291-1296 .
Александров, О. В.
Модель образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода / О. В. Александров, А. О. Захарьин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 11 . – с. 1291-1296 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 11
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 11
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный