Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Соловьев, В. А. - Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb/AlS...
Соловьев, В. А. - Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb/AlS...
Статья
Автор: Соловьев, В. А.
Физика и техника полупроводников: Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb/AlS...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Соловьев, В. А.
Физика и техника полупроводников: Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb/AlS...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Соловьев, В. А.
Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb/AlSbAs / Низкоразмерные системы / В. А. Соловьев, Я. В. Терентьев, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, J. R. Meyer, П. С. Копьев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 12 . – с. 1470-1474 .
Соловьев, В. А.
Рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии и фотолюминесцентные свойства квантовых ям InAsSb/AlSbAs / Низкоразмерные системы / В. А. Соловьев, Я. В. Терентьев, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, J. R. Meyer, П. С. Копьев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 12 . – с. 1470-1474 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 12
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 12
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный