Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Годисов, О. Н.
Получение изотопно-чистых слоев кремния 28Si методом газофазной эпитаксии / Физика полупроводниковых приборов / О. Н. Годисов, А. К. Калитеевский, А. Ю. Сафронов, В. И. Королев, П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, В. Ю. Давыдов, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, М. А. Калитеевский, П. С. Копьев, А. П. Коварский, В. Л. Суханов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 12 . – с. 1484-1485 .