Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, В. П. - Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получени...
Кузнецов, В. П. - Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получени...
Статья
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получени...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получени...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, В. П.
Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si:Er/Si / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 5 . – 519-525 .
Кузнецов, В. П.
Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si:Er/Si / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 5 . – 519-525 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 5
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 5
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный