Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Соболев, Н. А. - Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работ...
Соболев, Н. А. - Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работ...
Статья
Автор: Соболев, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Соболев, Н. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Соболев, Н. А.
Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов, Ю. А. Николаев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 9 . – 1069-1072 .
Соболев, Н. А.
Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов, Ю. А. Николаев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 9 . – 1069-1072 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 9
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 9
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный