Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вавилова, Л. С. - Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости / Атомна...
Вавилова, Л. С. - Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости / Атомна...
Статья
Автор: Вавилова, Л. С.
Физика и техника полупроводников: Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вавилова, Л. С.
Физика и техника полупроводников: Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости / Атомна...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Вавилова, Л. С.
Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Л. С. Вавилова, В. А. Капитонов, А. В. Мурашова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1307-1310 .
Вавилова, Л. С.
Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Л. С. Вавилова, В. А. Капитонов, А. В. Мурашова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1307-1310 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный