Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Данилова, Т. Н. - Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
Данилова, Т. Н. - Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
Статья
Автор: Данилова, Т. Н.
Физика и техника полупроводников: Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Данилова, Т. Н.
Физика и техника полупроводников: Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм. Часть 1 / Физика полупроводниковых приборов / Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1396-1403 .
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие в спектральной области 3-4 мкм. Часть 1 / Физика полупроводниковых приборов / Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 11 . – 1396-1403 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 11
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный