Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Зотова, Н. В. - Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных м...
Зотова, Н. В. - Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных м...
Статья
Автор: Зотова, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных м...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Зотова, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных м...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зотова, Н. В.
Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии / Физика полупроводниковых приборов / Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Т. Б. Попова, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 12 . – 1462-1467 .
Зотова, Н. В.
Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии / Физика полупроводниковых приборов / Н. В. Зотова, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Т. Б. Попова, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 12 . – 1462-1467 .