Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Игамбердиев, Х. Т. - Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием / Полупроводниковые структуры,...
Игамбердиев, Х. Т. - Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием / Полупроводниковые структуры,...
Статья
Автор: Игамбердиев, Х. Т.
Физика и техника полупроводников: Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием / Полупроводниковые структуры,...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Игамбердиев, Х. Т.
Физика и техника полупроводников: Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием / Полупроводниковые структуры,...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Игамбердиев, Х. Т.
Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Х. Т. Игамбердиев, А. Т. Мамадалимов, Р. А. Муминов, Т. А. Усманов, Ш. А. Шоюсупов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 1 . – с. 29-31 .
Игамбердиев, Х. Т.
Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Х. Т. Игамбердиев, А. Т. Мамадалимов, Р. А. Муминов, Т. А. Усманов, Ш. А. Шоюсупов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 1 . – с. 29-31 .