Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Раданцев, В. Ф. - Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs / Низкоразмерные системы
Раданцев, В. Ф. - Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs / Низкоразмерные системы
Статья
Автор: Раданцев, В. Ф.
Физика и техника полупроводников: Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Раданцев, В. Ф.
Физика и техника полупроводников: Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Раданцев, В. Ф.
Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs / Низкоразмерные системы / В. Ф. Раданцев, И. М. Иванкив, А. М. Яфясов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 2 . – с. 209-215 .
Раданцев, В. Ф.
Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs / Низкоразмерные системы / В. Ф. Раданцев, И. М. Иванкив, А. М. Яфясов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 2 . – с. 209-215 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 37, N 2
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 37, N 2
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный