Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Теруков, Е. И. - Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленка...
Теруков, Е. И. - Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленка...
Статья
Автор: Теруков, Е. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленка...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Теруков, Е. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленка...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Теруков, Е. И.
Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленках альфа-Si:H, полученных методом тлеющего разряда / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / Е. И. Теруков, О. И. Коньков, В. Х. Кудоярова, О. Б. Гусев, Г. Вайзер, Х. Кюне // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 2 . – 208-210 .
Теруков, Е. И.
Влияние температуры подложки и отжига на фотолюминесценцию эрбия на длине волны 1.54 мкм в пленках альфа-Si:H, полученных методом тлеющего разряда / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / Е. И. Теруков, О. И. Коньков, В. Х. Кудоярова, О. Б. Гусев, Г. Вайзер, Х. Кюне // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 2 . – 208-210 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 2
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 2
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный