Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тысченко, И. Е. - Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отж...
Тысченко, И. Е. - Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отж...
Статья
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отж...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тысченко, И. Е.
Физика и техника полупроводников: Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отж...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тысченко, И. Е.
Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидроостатическим давлением / Низкоразмерные системы / И. Е. Тысченко, А. Б. Талочкин, А. Г. Черков, К. С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 4 . – с. 479-484 .
Тысченко, И. Е.
Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидроостатическим давлением / Низкоразмерные системы / И. Е. Тысченко, А. Б. Талочкин, А. Г. Черков, К. С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 4 . – с. 479-484 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 37, N 4
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 37, N 4
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный