Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - 3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
Лебедев, А. А. - 3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: 3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: 3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупроводниковых приборов / А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, Д. В. Давыдов, Н. С. Савкина, А. С. Трегубова, А. Н. Кузнецов, В. А. Соловьев, Н. К. Полетаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 4 . – с. 499-501 .
Лебедев, А. А.
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупроводниковых приборов / А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, Д. В. Давыдов, Н. С. Савкина, А. С. Трегубова, А. Н. Кузнецов, В. А. Соловьев, Н. К. Полетаев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 4 . – с. 499-501 .