Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Зеленин, В. В. - Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе C...
Зеленин, В. В. - Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе C...
Статья
Автор: Зеленин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе C...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Зеленин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе C...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Зеленин, В. В.
Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе CH3SiCl3-H2 / В. В. Зеленин, В. Г. Соловьев, С. М. Старобинец, С. Г. Конников, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 5-6 . – с. 1122-1127 .
Зеленин, В. В.
Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе CH3SiCl3-H2 / В. В. Зеленин, В. Г. Соловьев, С. М. Старобинец, С. Г. Конников, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 5-6 . – с. 1122-1127 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 5-6
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 5-6
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный