Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Барышев, М. Г. - Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...
Барышев, М. Г. - Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...
Статья
Автор: Барышев, М. Г.
Физика и техника полупроводников: Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Барышев, М. Г.
Физика и техника полупроводников: Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Барышев, М. Г.
Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл / М. Г. Барышев, Б. С. Муравский, В. Н. Черных, И. Л. Яманов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 91-95 .
Барышев, М. Г.
Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл / М. Г. Барышев, Б. С. Муравский, В. Н. Черных, И. Л. Яманов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 91-95 .