Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Барышев, М. Г. - Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...
Барышев, М. Г. - Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...

Статья
Автор: Барышев, М. Г.
Физика и техника полупроводников: Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...
б.г.
ISBN отсутствует
            
          
          
          
          
          
Автор: Барышев, М. Г.
Физика и техника полупроводников: Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельны...
б.г.
ISBN отсутствует
	 Статья
 
Барышев, М. Г.
Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл / М. Г. Барышев, Б. С. Муравский, В. Н. Черных, И. Л. Яманов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 91-95 .
 
Барышев, М. Г.
Фотоэффект в эпитаксиальной p+-n- структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл / М. Г. Барышев, Б. С. Муравский, В. Н. Черных, И. Л. Яманов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 1 . – с. 91-95 .

 На полку
    На полку   
