Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Устинов, В. М.
Влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, выращенных на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии / В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, Н. Н. Фалеев, А. Ф. Цапульников, П. С. Копьев // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 8 . – с. 1442-1447 .