Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цырлин, Г. Э. - Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии
Цырлин, Г. Э. - Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии
Статья
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Цырлин, Г. Э.
Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии / Г. Э. Цырлин, А. О. Голубок, С. Я. Типисев, Н. Н. Леденцов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 9 . – с. 1697-1701 .
Цырлин, Г. Э.
Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии / Г. Э. Цырлин, А. О. Голубок, С. Я. Типисев, Н. Н. Леденцов // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 9 . – с. 1697-1701 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 9
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 9
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный