Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, А. Н. - Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
Андреев, А. Н. - Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
Статья
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, А. Н.
Физика и техника полупроводников: Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H / А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, М. Г. Растегаева, Ф. М. Снегов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, Л. Н. Шестопалова // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 . – с. 1833-1843 .
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H / А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, М. Г. Растегаева, Ф. М. Снегов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, Л. Н. Шестопалова // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 . – с. 1833-1843 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 10
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 10
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный