Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Зегря, Г. Г. - Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
Зегря, Г. Г. - Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
Статья
Автор: Зегря, Г. Г.
Физика и техника полупроводников: Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Зегря, Г. Г.
Физика и техника полупроводников: Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с тонкой активной областью / Г. Г. Зегря, Н. А. Гунько, Е. В. Фролушкина, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 12 . – с. 2208-2217 .
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с тонкой активной областью / Г. Г. Зегря, Н. А. Гунько, Е. В. Фролушкина, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 12 . – с. 2208-2217 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 12
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 29, N 12
1995 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный