Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Евстропов, В. В. - Нейтронно-облученные SiC(6H) p-n-структуры: токопрохождение
Евстропов, В. В. - Нейтронно-облученные SiC(6H) p-n-структуры: токопрохождение
Статья
Автор: Евстропов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Нейтронно-облученные SiC(6H) p-n-структуры: токопрохождение
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Евстропов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Нейтронно-облученные SiC(6H) p-n-структуры: токопрохождение
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Евстропов, В. В.
Нейтронно-облученные SiC(6H) p-n-структуры: токопрохождение / В. В. Евстропов, А. М. Стрельчук // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 1 . – с. 92-99 .
Евстропов, В. В.
Нейтронно-облученные SiC(6H) p-n-структуры: токопрохождение / В. В. Евстропов, А. М. Стрельчук // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 1 . – с. 92-99 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 1
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 1
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный