Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Cheng, T. S. - Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Cheng, T. S. - Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Статья
Автор: Cheng, T. S.
Физика и техника полупроводников: Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Cheng, T. S.
Физика и техника полупроводников: Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Cheng, T. S.
Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / T. S. Cheng, L. C. Jenkins, S. E. Hooper, C. T. Foxon, Б. Я. Бер // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 2 . – с. 296-301 .
Cheng, T. S.
Распределение примесей в слоях GaN, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / T. S. Cheng, L. C. Jenkins, S. E. Hooper, C. T. Foxon, Б. Я. Бер // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 2 . – с. 296-301 .