Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC p-n-структур
Лебедев, А. А. - Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC p-n-структур
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC p-n-структур
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC p-n-структур / А. А. Лебедев, Н. К. Полетаев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 3 . – с. 427-432 .
Лебедев, А. А.
Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC p-n-структур / А. А. Лебедев, Н. К. Полетаев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 3 . – с. 427-432 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 3
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 3
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный