Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Голикова, О. А.
Структурная сетка a-SI:H, легированного бором, и транспорт дырок / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Структурная сетка a-SI:H, легированного бором, и транспорт дырок / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Савицкий, А. В.
Электрические свойства экстрагированного теллурида кадмия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Савицкий, А. В.
Электрические свойства экстрагированного теллурида кадмия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гифейсман, Ш. Н.
Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Гифейсман, Ш. Н.
Поляронные параметры в полупроводниках с вырожденным краем валентной зоны / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Короткевич, А. В.
Кинетика СВЧ фотопроводимости в подложках Si с внутренним геттером и бездефектной зоной
б.г.
ISBN отсутствует
Короткевич, А. В.
Кинетика СВЧ фотопроводимости в подложках Si с внутренним геттером и бездефектной зоной
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Беляев, А. П.
Процессы токопереноса в гетероструктуре InO3-ZnSe-In с субмикронным слоем селенида цинка
б.г.
ISBN отсутствует
Беляев, А. П.
Процессы токопереноса в гетероструктуре InO3-ZnSe-In с субмикронным слоем селенида цинка
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аверьянов, В. Л.
Электрические свойства контакта модифицированный-немодифицированный стеклообразный As2Se3
б.г.
ISBN отсутствует
Аверьянов, В. Л.
Электрические свойства контакта модифицированный-немодифицированный стеклообразный As2Se3
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Даварашвили, О. И.
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в четверных твердых растворах Pb1-xSnxSe1-yTey
б.г.
ISBN отсутствует
Даварашвили, О. И.
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в четверных твердых растворах Pb1-xSnxSe1-yTey
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Блажку, А. И.
Кинетические свойства кристаллов n-ZnSe с радиационными дефектами
б.г.
ISBN отсутствует
Блажку, А. И.
Кинетические свойства кристаллов n-ZnSe с радиационными дефектами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кальфа, А. А.
Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных резонансно-туннельных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Кальфа, А. А.
Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных резонансно-туннельных диодов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Брандт, Н. Б.
Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Брандт, Н. Б.
Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Герчиков, Л. Г.
Зонная структура короткопериодических сверхрешеток III типа
б.г.
ISBN отсутствует
Герчиков, Л. Г.
Зонная структура короткопериодических сверхрешеток III типа
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абрамов, В. В.
Низкотемпературная электропроводность ионно-имплантированного фосфором и сурьмой кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Абрамов, В. В.
Низкотемпературная электропроводность ионно-имплантированного фосфором и сурьмой кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бочкарева, Н. И.
О природе 'аномальных' DLTS-спектров в монокристаллах германия с дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует
Бочкарева, Н. И.
О природе 'аномальных' DLTS-спектров в монокристаллах германия с дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Горев, Н. Б.
Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Горев, Н. Б.
Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дарчук, С. Д.
Резонансные состояния в легированных и нелегированных кристаллах теллурида свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Дарчук, С. Д.
Резонансные состояния в легированных и нелегированных кристаллах теллурида свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андроник, К. И.
Влияние примеси индия на электрофизические свойства Pb1-xSnxTe при x>0.3
б.г.
ISBN отсутствует
Андроник, К. И.
Влияние примеси индия на электрофизические свойства Pb1-xSnxTe при x>0.3
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баграев, Н. Т.
Si1-xGe2 самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний-германий
б.г.
ISBN отсутствует
Баграев, Н. Т.
Si1-xGe2 самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний-германий
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Охонин, С. А.
О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К
б.г.
ISBN отсутствует
Охонин, С. А.
О механизме образования области пространственного заряда в МОП транзисторе при температуре 4.2 К
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Васько, Ф. Т.
Релаксация фотовозбужденных электронов в двойных квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Васько, Ф. Т.
Релаксация фотовозбужденных электронов в двойных квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кадушкин, В. И.
Электронная 2D-3D-система - квантовый диод. I. Общие свойства
б.г.
ISBN отсутствует
Кадушкин, В. И.
Электронная 2D-3D-система - квантовый диод. I. Общие свойства
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гергель, В. А.
Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Гергель, В. А.
Паразитное управление по подложке в полевых транзисторах на арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует