Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 7 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 7 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Панов, В. П.
Нестабильность проводимости, вызванная электрическим нарушением электронно-молекулярного равновес...
б.г.
ISBN отсутствует
Панов, В. П.
Нестабильность проводимости, вызванная электрическим нарушением электронно-молекулярного равновес...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крылов, Д. Г.
Модель радиационного накопления дефектов в системе кремний-оксид кремния / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Крылов, Д. Г.
Модель радиационного накопления дефектов в системе кремний-оксид кремния / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Горев, Н. Б.
Вольт-фарадные характеристики гетероструктур с селективным легированием при наличии глубоких цент...
б.г.
ISBN отсутствует
Горев, Н. Б.
Вольт-фарадные характеристики гетероструктур с селективным легированием при наличии глубоких цент...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Трифонова, М. М.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур p-типа / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Трифонова, М. М.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур p-типа / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бумай, Ю. А.
Влияние двойной имплантации атомов кремния и фтора на электрофизические параметры полуизолирующег...
б.г.
ISBN отсутствует
Бумай, Ю. А.
Влияние двойной имплантации атомов кремния и фтора на электрофизические параметры полуизолирующег...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Болотов, В. В.
Пассивация радиационных дефектов в гидрогенизированных слоях кремния при нейтронном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Болотов, В. В.
Пассивация радиационных дефектов в гидрогенизированных слоях кремния при нейтронном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аверкиев, Н. С.
Симметрия комплекса V/gaTe/as в GaAs и его переориентация при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Аверкиев, Н. С.
Симметрия комплекса V/gaTe/as в GaAs и его переориентация при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берковиц, В. Л.
Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края фундаментального поглощения
б.г.
ISBN отсутствует
Берковиц, В. Л.
Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края фундаментального поглощения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Греков, Е. В.
Статистические характеристики тонкопленочных полевых транзисторов на основе a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Греков, Е. В.
Статистические характеристики тонкопленочных полевых транзисторов на основе a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бабичев, Г. Г.
Исследование биполярного двухколлеторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе
б.г.
ISBN отсутствует
Бабичев, Г. Г.
Исследование биполярного двухколлеторного тензотранзистора с ускоряющим электрическим полем в базе
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сырбу, Н. Н.
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений А3И5 симметрий D8/4 и c5/2h
б.г.
ISBN отсутствует
Сырбу, Н. Н.
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений А3И5 симметрий D8/4 и c5/2h
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Захарова, А. А.
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
б.г.
ISBN отсутствует
Захарова, А. А.
Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
б.г.
ISBN отсутствует