Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Рост монокристаллического a-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ...
Качурин, Г. А. - Рост монокристаллического a-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ...
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Рост монокристаллического a-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Рост монокристаллического a-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качурин, Г. А.
Рост монокристаллического a-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N+ в нагретый кремний / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, А. Е. Плотников, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 8 . – 1390-1393 .
Качурин, Г. А.
Рост монокристаллического a-Si3N4 в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N+ в нагретый кремний / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, А. Е. Плотников, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 8 . – 1390-1393 .