Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Айвазов, А. А. - Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si:H и a-Si1-xNx:H
Айвазов, А. А. - Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si:H и a-Si1-xNx:H
Статья
Автор: Айвазов, А. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si:H и a-Si1-xNx:H
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Айвазов, А. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si:H и a-Si1-xNx:H
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Айвазов, А. А.
Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si:H и a-Si1-xNx:H / А. А. Айвазов, Б. Г. Будагян, М. Н. Мейтин // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1585-1589 .
Айвазов, А. А.
Влияние структурной неоднородности на проводимость и релаксационные процессы в a-Si:H и a-Si1-xNx:H / А. А. Айвазов, Б. Г. Будагян, М. Н. Мейтин // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1585-1589 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 9
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 9
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный