Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Казанцев, А. Б. - Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийн...
Казанцев, А. Б. - Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийн...
Статья
Автор: Казанцев, А. Б.
Физика и техника полупроводников: Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийн...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Казанцев, А. Б.
Физика и техника полупроводников: Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийн...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Казанцев, А. Б.
Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе / Краткие сообщения / А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1666-1668 .
Казанцев, А. Б.
Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе / Краткие сообщения / А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 9 . – 1666-1668 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 9
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 9
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный