Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
Качурин, Г. А. - Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование / Г. А. Качурин, Г. В. Гадияк, В. И. Шатров, И. Е. Тысченко // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 11 . – 1978-1983 .
Качурин, Г. А.
Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование / Г. А. Качурин, Г. В. Гадияк, В. И. Шатров, И. Е. Тысченко // Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 11 . – 1978-1983 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 11
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 26, N 11
1992 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный