Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 4 .
ксерокопия 01:Книгохранение
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 4 .
ксерокопия 01:Книгохранение
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Юрьев, В. А.
Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах арсенида галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Юрьев, В. А.
Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах арсенида галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дощанов, К. М.
Обобщенная модель электропроводности поликристаллических полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Дощанов, К. М.
Обобщенная модель электропроводности поликристаллических полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гулямова, Г.
Влияние сильного СВЧ поля на вольт-амперную характеристику p-n-перехода с горячими носителями заряда
б.г.
ISBN отсутствует
Гулямова, Г.
Влияние сильного СВЧ поля на вольт-амперную характеристику p-n-перехода с горячими носителями заряда
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шикина, Ю. В.
Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Шикина, Ю. В.
Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гершензон, Е. М.
Об энергетической щели между зоной проводимости и верхней зоной Хаббарда
б.г.
ISBN отсутствует
Гершензон, Е. М.
Об энергетической щели между зоной проводимости и верхней зоной Хаббарда
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Соболев, М. М.
Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si
б.г.
ISBN отсутствует
Соболев, М. М.
Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa1-xAs, легированном Si
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Болгов, С. С.
Спектры электролюминесценции варизонных структур CdxHg1-xTe/CdTe при T=300 K
б.г.
ISBN отсутствует
Болгов, С. С.
Спектры электролюминесценции варизонных структур CdxHg1-xTe/CdTe при T=300 K
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Добровольский, В. Н.
Температурная зависимость туннельного тока через МТДП структуру
б.г.
ISBN отсутствует
Добровольский, В. Н.
Температурная зависимость туннельного тока через МТДП структуру
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Коваленко, А. В.
Тип проводимости и глубокие центры захвата в кристаллах ZnSxSe1-x
б.г.
ISBN отсутствует
Коваленко, А. В.
Тип проводимости и глубокие центры захвата в кристаллах ZnSxSe1-x
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Влияние различных методов обработки на состояние поверхности 6H-SiC (0001)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Яблонский, Г. П.
Самообращение линий излучения свободных экситонов в монокристаллах CdS
б.г.
ISBN отсутствует
Яблонский, Г. П.
Самообращение линий излучения свободных экситонов в монокристаллах CdS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Углянец, В. В.
Эффект переключения на границе раздела полупроводник-полупроводник
б.г.
ISBN отсутствует
Углянец, В. В.
Эффект переключения на границе раздела полупроводник-полупроводник
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кибис, О. В.
Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантующем магнитном поле
б.г.
ISBN отсутствует
Кибис, О. В.
Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантующем магнитном поле
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Соколов, В. И.
Водородоподобные возбуждения примесей переходных 3d-элементов в полупроводниках. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Соколов, В. И.
Водородоподобные возбуждения примесей переходных 3d-элементов в полупроводниках. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует