Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Антоненко, В. И. - Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на осно...
Антоненко, В. И. - Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на осно...
Статья
Автор: Антоненко, В. И.
Физика и техника полупроводников: Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на осно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Антоненко, В. И.
Физика и техника полупроводников: Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на осно...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Антоненко, В. И.
Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на основе структуры SiO2-alpha-Si - пленка Ленгмюра-Блоджетт / В. И. Антоненко, Д. А. Знаменский, С. М. Калугин, В. Н. Леванович, Ю. Н. Моисеев, В. И. Панов, П. А. Тодуа, В. Н. Уласюк, Р. Г. Юсупов // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 2 . – 221-227 .
Антоненко, В. И.
Электронные свойства границ раздела полупроводник-диэлектрик в тонкопленочном транзисторе на основе структуры SiO2-alpha-Si