Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Антонова, И. В. - Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении иона...
Антонова, И. В. - Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении иона...
Статья
Автор: Антонова, И. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении иона...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Антонова, И. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении иона...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Антонова, И. В.
Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N+ / И. В. Антонова, С. С. Шаймеев, И. Е. Тысченко // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 2 . – 234-238 .
Антонова, И. В.
Исследование методом DLTS дефектов, образующихся в кремнии при высокотемпературном облучении ионами N+ / И. В. Антонова, С. С. Шаймеев, И. Е. Тысченко // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 2 . – 234-238 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 2
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 2
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный